氮化铟镓
- 网络InGaN; indium-gallium-nitride; ThinGaN
氮化铟镓氮化铟镓
InGaN
是使用氮化铟镓(ingan)系列的芯片配合钇铝石榴石(YAG)荧光粉所制成的白光LED，其对应在定义项中针对照明用白光LED所述 …
indium-gallium-nitride
随着新型高功率激光二极管PL TB450的推出，欧司朗光电半导体巩固了其在氮化铟镓（indium-gallium-nitride）激光器领域的 …
ThinGaN
...pLED与OSTARHeadlampLED，前者的氮化铟镓(ThinGaN)芯片以350毫安的工作电流产生64流明的亮度，顺向电流已从3.8 …
GaInN
对於包含氮化铟镓(GaInN)多重量子井(multiple quantum well)的LED及雷射二极体而言，其感应电荷(induced charge)是被压电 …
InGaNi
...砷化铟镓（InGaAs）、磷化铟镓（InGaP）和氮化铟镓（InGaNi）结构目前正用于制造多结聚光太阳能电池。
InGaN Photoelectrochemical Light Emitting Diode
电子学位... ... 杨仲杰 Chung-Chieh Yang 氮化铟镓 光辅助电化学 发光二极体 InGaN Photoelectrochemical Light Emitting Diod…